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又一家中国公司在美被禁!中国并非缺芯少屏,缺的是这些…

智慧芽 | 2019-04-03 |

美国时间10月29日,美国商务部发布公告称“将福建晋华集成电路有限公司加入实体清单”,对福建晋华采取限制出口措施。

美国商务部称,“福建晋华即将完成DRAM的量产,该技术可能源自美国,且将威胁到为美国军方提供此类芯片的供应商的生存。”随后,美国司法部宣布,对福建晋华及其中国台湾地区合作伙伴联华电子提起诉讼,指控这两家企业涉嫌窃取美国存储芯片公司美光科技的知识产权和商业机密。

美光对此发声,表示欣慰。

嗯?又一起中兴同款悲剧?这次还涉及到商业机密窃取了!

晋华和美光不是第一次杠上了

福建晋华是福建省电子信息集团、泉州和晋江市政府在2016年共同出资设立的存储芯片制造商。2016年与中国台湾的联华电子合作生产DRAM芯片(随机存取存储芯片)。

作为国产芯片之光,福建晋华肩负着国家振兴半导体行业的重大任务。

可是2017年12月,美光在美国加州联邦法庭起诉晋华与联电,称联电通过美光台湾地区员工窃取其知识产权,包括存储芯片的关键技术,并交给晋华。

晋华和联电迅速反击。2018年1月,晋华联电在福州中院起诉美光科技侵犯其知识产权。判定结果是美光26种芯片产品在中国临时禁售——而中国是美光最大的市场,甚至贡献了超过半数的销售额。

或许这个禁售判决成为了导火索,引发美光在上海和西安的大规模裁员,进而又导致了美国政府出台针对晋华的全面性技术禁令。

面对垄断领域,中国“国家队”出击了

▲图片来自网络

数据显示,2016年6月1日到2018年2月1日,4GB的DRAM内存价格上涨了130%。仅在2017年,DRAM内存价格就上涨了47%。

三星、海力士、美光作为存储芯片领域的三大巨头,占据了90%的市场份额,DRAM不断的涨价令他们获利颇丰,尽管反垄断机构多次就持续涨价问题分别约谈三星和美光,但并没有什么用,价格照样涨,巨头照样赚。

2017年中国存储芯片进口价值896亿美元,而这一大笔巨款基本都被三星、海力士、美光拿去了。

为此,中国成立了长江存储、合肥长鑫以及福建晋华三家“国家队”。通过人才引进与合作授权“跑步”进行闪存的国产化生产,其中福建晋华通过与中国台湾的联华电子合作获得DRAM技术。

从专利看联电与美光的不同研发模式

根据当时双方公布协议,联华电子是接受大陆福建晋华的委托,为其开发DRAM相关制程技术。而晋华则根据DRAM技术开发的进度,支付联电技术研发报酬金,最后开发出来的DRAM技术成果将由双方共同拥有。

相较于美光买来的技术,联电在DRAM技术上早有自助研发能力。

联电与晋华能对美光展开反击,当然是有底气的。作为台湾历史最为悠久的半导体企业之一,联电在DRAM领域里有相当强的自主研发能力,同时专利布局时间历时久远,完全有资格和美光“叫板”。

▲图片来自智慧芽数据库

我们在智慧芽专利数据库中查到,联电在DRAM领域申请的第一条专利是1993年,到现在已经累积申请超过1100条,其中已授权并处在有效期的专利还有324条。在DRAM领域,联电一直走的是自主研发道路。

相反,美光的DRAM主要来自于收购破产的日本半导体公司尔必达。破产前,尔必达的存储芯片已经广泛用于苹果iPad、iPhone以及谷歌Nexus 7平板等设备。奈何尔必达在新建DRAM生产线后还未开工就遭遇全球性金融危机,时任社长坂本幸雄在公司被收购前也引咎辞职。(题外话,坂本幸雄与合肥政府合作,投资8000亿日元打造中国最大的DRAM内存生产厂合肥长鑫,部分前尔必达的部分技术人员也已经加入了该公司。)

▲图片来自《2018美光科技企业报告》

虽然,从专利地图上看尔必达的DRAM领域专利技术不如美光,技术上也不能互补。但是美光通过这笔交易,以较低的价格买下了尔必达的生产线,从而大幅扩大自己的DRAM产品产能。

这么一对比,拥有自研技术的联电,自然有底气在对美光的声明中这样写道:

“相反于美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象,联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。

另一个错误的印象是美光公司在美国开发了25纳米的DRAM技术。事实是,美光公司在2010年初,购买了中国台湾地区的瑞晶公司和日本的尔必达公司的25纳米DRAM技术。”

不惧挑战,美光还是那个大佬


▲图片来自《2018美光科技企业报告》

在存储芯片的两大关键DRAM和NAND闪存的全球企业专利量排名中,美光分别处在第一和第四的位置。

尽管三星电子在存储芯片领域依旧独领风骚,但美光却能异军突围,成为少数能与韩系产业抗衡的西方半导体公司。

▲图片来自《2018美光科技企业报告》

作为一家已公开专利量超两万的半导体科技企业,美光专注于存储芯片的研发与生产,因此研发领域相对狭窄,专利申请量一直相对稳定。

和许多新兴企业一直保持高速增长不同,美光的专利申请量在2008年后由于经济危机和市场产能供过于求,甚至出现了下滑。但随着手机、平板电脑等移动设备及高性能超级计算机的发展,市场对于存储芯片去求的增长,美光的申请量又有了新的增长趋势。

大佬也有成长的烦恼

诚然,中国存储芯片企业在技术方面还落后于美日韩。

例如长江存储预计年底投产的NAND flash芯片是32层技术,而国外的企业已投产64层技术,72层NAND flash也将在明年投产。而晋华遭遇美国禁令后,联电迫于美国政府压力暂停了与晋华的合作。

尽管晋华遭禁令让美光出了一口气,但是美光的日子也并不好过。

经历了2017年至2018年上半年上涨后,美光的股价进入了下跌阶段,表现远低于其他半导体企业的股价。除了来自福建中院的禁售外,美光正遭受多方面的打击。

DRAM和NAND Flash价格持续恶化,美光后市岌岌可危。

▲图片来自网络

随着新iPhone以及众多移动设备厂商推出新款,本应该是数码产品购物旺季的Q4,DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价却呈现疲软的态势,其中DRAM预估下滑5%或更多。至此NAND Flash,在2018整年都在走“下坡路”,Q4并未扭转这样的态势。

目前64层3D TLC的良率高达90%,明年72层以及中国国产NAND Flash投产上线后会进一步压榨美光等NAND厂商的利润空间。

当美光将晋华联电诉至法院后,自家员工也遭到了英特尔的指控。不久前,英特尔将一位美光员工告上法庭,因为他9月份私下接受了美光的职位,在跳槽前几天这位员工试图访问并复制被英特尔内部标记为“绝密”的技术资料,这些绝密技术资料详细描述了了英特尔如何利用3D XPoint并生产英特尔独有Optane傲腾产品。

今年初英特尔就在官网宣布,其和美光的闪存合作即将分道扬镳。公告中称,双方会在2018年继续第三代3D NAND(预计是96层)的研发、生产合作,一直持续到2019年初。但是这个项目合作完之后,英特尔和美光将会正式分道扬镳。

师夷长技以制夷

存储是美光的根基所在,也是其核心业务优势。面对韩系企业的强势竞争和中国企业的后来居上,美光不断收购和合作,加强自己的技术竞争力。但是,现在失去了英特尔的美光,面对存储芯片价格的回落与接二连三的反垄断调查,其能否“独善其身”?

而对晋华这样的国产新势力来说,未来前景依然广阔,单单国内市场随着大数据、云计算与人工智能的发展就讲在未来数年里突破千亿。美光的崛起之路,以及其通过知识产权政策保护企业利益的方式都值得国内新兴半导体企业学习。

最后,我们为您准备了一份智慧芽原创《2018美光科技企业报告》


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