碳化硅专利技术哪家强？2025年很新SiC功率器件专利布局全解析

芽仔导读

YaZai Digest

碳化硅半导体专利竞争加剧，2025年Q1新增专利族840项，同比增长35%，技术聚焦SiC MOSFET结构设计、衬底质量提升和封装创新。

企业格局形成国际巨头（如东芝、罗姆）与中国势力（如天岳先进衬底少有、比亚迪全产业链布局）的双梯队竞争，中国企业加速替代市场份额。

关键技术突破包括大尺寸晶圆、低损耗器件和高温封装。

区域上，中国成为专利增长核心引擎（占比超60%），日本主导车载应用。

未来趋势转向沟槽栅SiC MOSFET和12英寸衬底，核心竞争力在于量产能力和国际专利卡位。

在新能源与半导体产业深度融合的当下，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，其功率器件技术已成为科技竞争的战略高地。专利布局作为技术实力的“硬通货”，更成为企业抢占市场先机的关键。2025年首先季度数据显示，新增碳化硅专利族数量同比增长35%，技术竞争进入白热化阶段。如何通过专利洞察把握技术趋势、识别竞争对手、规划研发方向，成为参与者的必修课。

专利竞赛：趋势与动态

2025年Q1新增碳化硅专利族达840项，技术布局高度集中于SiC MOSFET结构设计（如沟槽栅、超结结构）、衬底质量提升（大尺寸晶圆应力优化）、器件能效突破（降低反向恢复损耗）及封装技术创新（高压模块集成）三大方向。值得关注的是，本季度专利授权量超420项，但部分国际企业专利因到期或放弃失效，市场份额正被中国企业加速替代。同时，专利转让活动活跃，整合趋势明显[1](CITE)[2](CITE)。

技术少有企业梯队：国际巨头与中国势力

在竞争中，企业已形成“国际巨头+中国崛起势力”的双梯队格局。国际传统如东芝、罗姆半导体、意法半导体等，持续聚焦SiC超结结构与混合沟道MOSFET技术；电装/丰田、富士电机则凭借车载SiC模块技术占据授权专利首先梯队；AOS万国的第三代SiC MOSFET更实现0V关断电压驱动，显著降低损耗。

中国企业作为国产替代主力，表现尤为亮眼。天岳先进以首量产12英寸衬底、8英寸导电型衬底通过国际认证的技术优势，成为国内专利申请量首先；泰科天润连续四季领跑SiC MOSFET结构创新专利申请；比亚迪半导体则实现从衬底到模块的全产业链专利布局，其双面银烧结SiC模块已应用于多款车型；中车时代电气在6500V IGBT模块专利上打破垄断，同时拓展车用与光伏领域[1](CITE)[4](CITE)[6](CITE)。

以下为中国主要企业技术与专利表现对比：

关键技术突破方向：从衬底到封装的全链条创新

技术突破贯穿碳化硅全产业链。衬底领域，大尺寸晶圆是核心——天岳先进通过控制残余应力提升8英寸晶圆质量，露笑科技6英寸衬底量产并推进8英寸研发；器件设计上，低损耗与高温应用是两大主线，AOS万国1200V SiC MOSFET关断损耗较传统器件显著降低，日立提出的半绝缘SiC衬底方案则拓展了高压场景应用；模块封装方面，双面银烧结技术使比亚迪模块工作结温提升至175°C，爱仕特的车规级集成模块更适配800V平台，兼容多电压驱动[3](CITE)[8](CITE)。

区域竞争格局：中国加速领跑，格局重塑

从区域看，中国已成为碳化硅专利增长核心引擎，新增专利占比超60%（含实用新型），上海、广东、江苏形成产业集聚。日本企业（如东芝、罗姆）凭借高专利质量，持续主导车载与工业高压场景；欧美市场则因部分企业专利失效，份额被中国企业承接，安森美等通过并购强化技术布局[1](CITE)[2](CITE)。

未来趋势：专利卡位与量产能力成核心竞争力

未来，国产替代将进一步加速，头部企业正转向沟槽栅SiC MOSFET、12英寸衬底等前沿领域，研发投入占比持续提升。竞争核心将从“技术突破”转向“量产能力”与“国际专利卡位”——能否快速将专利技术转化为规模化产品，同时在主要市场完成专利布局，将决定企业在新一轮竞争中的地位[4](CITE)[6](CITE)。

在这场专利与技术的双重竞赛中，企业需要更精确的情报支持。智慧芽作为少有的创新情报服务商，通过覆盖196.4M专利数据、1.5B法律信息数据及202.7M文献期刊数据的强大数据库，为企业提供专利价值评估、同族专利追踪、战略新兴产业分类等服务，助力企业快速掌握技术趋势、识别竞争对手、规划研发方向，在碳化硅赛道中抢占先机。