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台积电冲刺1nm!其在美新申请的专利有何秘密?

智慧芽 | 2023-04-29 |

  台积电冲刺1nm!其在美新申请的专利有何秘密?

  摩尔定律是半导体领域的行业发展规律,但近几年各大头部企业加速研发,大有突破摩尔定律之势。

  近日,台积电的一条传闻引爆行业,摩尔定律是否就此将“失效”了呢?

  有报道称,目前正在推进3nm制程工艺量产的台积电,同时也在推进更先进的2nm及1nm制程工艺。其中,2nm制程工艺预计在2025年下半年量产,而1nm制程工艺已在谋划工厂的建设事宜。

  台积电能否突破摩尔定律,提前实现2nm甚至1nm制程工艺的量产,值得期待!

  在此之前,通过智慧芽研发情报库找到了台积电在美国最新申请的5件专利,其中或许就有减小线宽实现降低制程的“秘密”!

  首先登录Eureka研发情报库管官网:链接地址:

  https://eureka.zhihuiya.com/?channel_source=gongzhonghao

  其次我们利用专利所有者和技术功效词条件,筛选出台积电公司和半导体技术词,我们一起来看看5条详细技术专利情况

  1.半导体器件和方法(Semiconductor Device andMethod)

  图片包含 图形用户界面 描述已自动生成

  这件专利涉及电连接领域的技术创新,提及了多种应用实例,包括完全着陆的通孔、与种子层接触的部分着陆的通孔和不与种子层接触的部分着陆的通孔。

  2.自对准双重图案化(Self-Aligned DoublePatterning)

  图形用户界面, 文本, 应用程序 描述已自动生成

  这件专利涉及材料领域的技术创新,提到了能够实现沉积在心轴层上的间隔层的不同厚度的应用案例。

  3.共享译码电路及方法(Shared decoder circuit andmethod)

  图形用户界面, 文本, 应用程序, 电子邮件 描述已自动生成

  这件专利涉及SRAM领域,其中提到的电路,上面的每个寄存器包括SRAM单元、被配置为接收读地址的读端口、被配置为接收写地址的写端口、选择电路、锁存电路和串联耦合在寄存器之间的解码器。

  4. 存储设备限流器(Memory device currentlimiter)

  图形用户界面 描述已自动生成

  这件专利涉及内存领域的技术创新,其中,闭环偏置发生器被配置为向存储器阵列输出列选择信号,限流器接收闭环偏置发生器的输出,电流限制器耦合到存储器阵列的多个列。

  5. 电压跟踪电路及其操作方法Voltage tracking circuit andmethod of operating the same

  图片包含 图形用户界面 描述已自动生成

  这件专利涉及电路领域的技术创新,主要提到了一种电压跟踪电路,并详细描述了上面四根晶体管的排布形式。

  台积电在美国申请的专利上面列举的只是一小部分。还可以用图纹面的照相制版工艺、数字存储器、气态化学镀覆等不同应用领域维度来查找对应的技术信息

  Eureka研发情报库不仅有技术信息查找功能,还可以监控行业头部企业的技术动态、某项技术的发展路径以及30秒生成技术交底书等,这里就不一一介绍

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