CN115940885A 审中 梳状谱发生器
本发明公开了多个涉及NLTL梳状谱发生器的实施例用于宽带阻抗匹配,以使产生的输出信号包括输入信号的宽带谐波。NLTL梳状谱发生器包括串联连接的多个段,且各段均包括串联电感和非线性并联电容。所述非线性并联电容可以是变容二极管、肖特基二极管或任何类型的PN节二极管。非线性并联电容以相同的极性耦合至对应的串联电感。宽带偏置电路将直流偏压或者直流接地馈送至非线性并联电容以用于实现宽带输入和输出阻抗匹配。宽带偏置电路可以是三阶或五阶低通滤波器以用于防止射频信号通过偏置电路泄漏。NLTL梳状谱发生器、宽带偏置电路和输出隔直电容可以采用紧凑型封装集成于单个芯片上,在不依靠外部集总匹配元件的前提下获得宽带输入/输出阻抗匹配。
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专利时间轴
  • 14 Dec 2022 申请日
    CN/202211607552.X
    优先权
  • 14 Dec 2022 申请日
    CN/115940885
    当前专利 申请号
  • 07 Apr 2023 公开(公告)日期
    CN115940885A
    申请号
专利类型/受理局 APPLICATION( CN)
[标]当前申请(专利权)人 成都仕芯半导体有限公司
当前申请(专利权)人 成都仕芯半导体有限公司

611730 四川省成都市高新区百川路9号1号楼4层

[标]原始申请(专利权)人 成都仕芯半导体有限公司
原始申请(专利权)人 成都仕芯半导体有限公司

611730 四川省成都市高新区百川路9号1号楼4层

IPC分类号
IPC(8): H03K3/02H03K4/94H03H11/28 +3
技术主题分类
应用领域分类
发明人

章策珉

代理机构

成都云纵知识产权代理事务所(普通合伙) (刘沙粒,伍星)

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